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SMUN5115DW1T1G

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モデル SMUN5115DW1T1G
メーカー AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明 TRANS 2PNP PREBIAS 0.187W SOT363
フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
In Stock 532439 pcs
価格
(US $)
1 pcs10 pcs100 pcs500 pcs1000 pcs
$0.171$0.128$0.08$0.055$0.042

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モデル SMUN5115DW1T1G メーカー AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明 TRANS 2PNP PREBIAS 0.187W SOT363 フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
株式 532439 pcs データシート MUN5115DW1, NSBA114TDxx
プロダクト ディスクリート半導体製品 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) 50V
IB、IC @ Vce飽和(最大) 250mV @ 300µA, 10mA トランジスタ型式 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
サプライヤデバイスパッケージ SC-88/SC70-6/SOT-363 シリーズ -
抵抗器ベース(R2) - 抵抗器 - ベース(R1) 10 kOhms
電力 - 最大 187mW パッケージング Cut Tape (CT)
パッケージ/ケース 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 他の名前 SMUN5115DW1T1GOSCT
装着タイプ Surface Mount 水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 40 Weeks 鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
周波数 - トランジション - 詳細な説明 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 187mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) 160 @ 5mA, 10V 電流 - コレクタ遮断(最大) 500nA
電流 - コレクタ(Ic)(Max) 100mA ベース部品番号 MUN51**DW1T

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